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onsemi SMUN5230DW1T1G
| Artikelnummer: | SMUN5230DW1T1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1+ | $0.41 |
| 10+ | $0.335 |
| 100+ | $0.2283 |
| 500+ | $0.1712 |
| 1000+ | $0.1284 |
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onsemi SMUN5230DW1T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SMUN5230DW1T1G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 1kOhms Widerstand - Basis (R1) 1kOhms Leistung - max 187mW Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang - DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 3 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer SMUN5230 SMUN5230DW1T1G Einzelheiten PDF [English] SMUN5230DW1T1G PDF - EN.pdf -
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